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納芯微專為E-mode GaN設計的半橋驅動芯片，可用于直接驅動E-mode GaN，無需電阻、電容、穩壓管等外圍電路，簡化了系統設計，并且具有高可靠性、高共模抗擾度、低傳輸延時的特性，適用于各類高頻、高功率密度的GaN應用場景。
產品選型表
顯示 種器件
| 產品名稱 | ECAD Model | 驅動對象 | 峰值驅動電流 (A) | 輸出通道 | 母線電壓(V) | VCC(Max)(V) | 傳播延時(Max) ton/off(ns) | 延遲匹配(ns) | 特性 | 工作溫度 (°C) | 產品等級 | 封裝 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NSD2621A-DQAGR |
|
GaNFET | 2/-4 | 2 | 700 | 24 | 60/60 | 10 | UVLO, Programmable dead time, Enable, 內置LDO | -40~125 | 工業級 | QFN15 |
| NSD2621C-DQAGR |
|
GaNFET | 2/-4 | 2 | 700 | 24 | 60/60 | 10 | UVLO, Programmable dead time, Enable, 內置LDO | -40~125 | 工業級 | QFN15 |
| NSD2622N-DQAER |
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GaNFET | 2/-4 | 2 | 700 | 18 | 55/55 | 10 | UVLO, 內置5V LDO，-2.5V關斷電壓，驅動正電壓可調，20ns固定死區 | -40~125 | 工業級 | QFN30 |
| NSD2017-Q1DABR |
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GaNFET | 7/-5 | 1 | N/A | 5.75 | N/A | N/A | 窄脈沖發波能力，高頻開關特性，小脈寬失真 | -40~125 | 車規級 | DFN6 |
| NSD2017-Q1CBAR |
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GaNFET | 7/-5 | 1 | N/A | 5.75 | N/A | N/A | 窄脈沖發波能力，高頻開關特性，小脈寬失真 | -40~125 | 車規級 | WLCSP |
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