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納芯微的非隔離低邊驅(qū)動器，擁有低延時、驅(qū)動能力強(qiáng)、輸入耐負(fù)壓等特色性能，可降低開關(guān)損耗、提高系統(tǒng)對噪聲的恢復(fù)能力和提高系統(tǒng)密度，從而實現(xiàn)高效、高可靠的系統(tǒng)設(shè)計。
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| 產(chǎn)品名稱 | ECAD Model | 驅(qū)動對象 | 峰值驅(qū)動電流 (A) | 輸出通道 | VCC(Max)(V) | 傳播延時(Max) ton/off(ns) | 延遲匹配(ns) | 特性 | 工作溫度 (°C) | 產(chǎn)品等級 | 封裝 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NSD1026V-DSPR |
|
GaNFET/MOSFET/IGBT | 5/-5 | 2 | 30 | 32/32 | 4 | Enable、輸入引腳耐負(fù)壓(-10V) | -40~125 | 工業(yè)級 | SOP8 |
| NSD1026V-DHMSR |
|
GaNFET/MOSFET/IGBT | 5/-5 | 2 | 30 | 32/32 | 4 | Enable、輸入引腳耐負(fù)壓(-10V) | -40~125 | 工業(yè)級 | EP-MSOP8 |
| NSD1026V-DDAER |
|
GaNFET/MOSFET/IGBT | 5/-5 | 2 | 30 | 32/32 | 4 | Enable、輸入引腳耐負(fù)壓(-10V) | -40~125 | 工業(yè)級 | DFN8 |
| NSD1026V-Q1SPR |
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GaNFET/MOSFET/IGBT | 5/-5 | 2 | 30 | 32/32 | 4 | Enable、輸入引腳耐負(fù)壓(-10V) | -40~125 | 車規(guī)級 | SOP8 |
| NSD1026V-Q1HSPR |
|
GaNFET/MOSFET/IGBT | 5/-5 | 2 | 30 | 32/32 | 4 | Enable、輸入引腳耐負(fù)壓(-10V) | -40~125 | 車規(guī)級 | EP-SOP8 |
| NSD1026V-Q1HMSR |
|
GaNFET/MOSFET/IGBT | 5/-5 | 2 | 30 | 32/32 | 4 | Enable、輸入引腳耐負(fù)壓(-10V) | -40~125 | 車規(guī)級 | EP-MSOP8 |
| NSD1015T-DSPR |
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MOSFET/IGBT/SiC | 5/-5 | 1 | 36 | 75/75 | N/A | DESAT過流保護(hù)，F(xiàn)AULT故障上報，5V對外供電，雙極性供電 | -40~125 | 工業(yè)級 | SOP8 |
| NSD1015MT-DSPR |
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MOSFET/IGBT/SiC | 5/-5 | 1 | 36 | 75/75 | N/A | DESAT過流保護(hù)，F(xiàn)AULT故障上報，5V對外供電，米勒鉗位 | -40~125 | 工業(yè)級 | SOP8 |
| NSD10159-DSTAR |
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MOSFET/IGBT | 3.5/-4 | 1 | 35 | 40/40 | N/A | Enable、寬范圍供電：4.7 V to 32 V | -40~125 | 工業(yè)級 | SOT23-5 |
| NSD10151-Q1STCR |
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MOSFET/IGBT | 2/-4 | 2 | 35 | 45/45 | N/A | Enable、Split output | -40~125 | 車規(guī)級 | SOT23-6 |
