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NSD2622N是專為E-mode GaN設(shè)計(jì)的高壓半橋驅(qū)動芯片，該芯片采用了納芯微的成熟電容隔離技術(shù)，高邊驅(qū)動可以支持-700V到+700V的共模電壓，200V/ns的SW電壓變化斜率，同時(shí)具有低傳輸延時(shí)和低通道間延時(shí)的特性，兩通道均能提供2A/-4A的驅(qū)動能力。高低邊的驅(qū)動輸出級都內(nèi)部集成專門的電壓調(diào)節(jié)器，可以生成5V~6.5V可調(diào)的穩(wěn)定正壓，以及-2.5V的固定負(fù)壓，從而省去了外部負(fù)壓電路。同時(shí)集成一顆5V固定輸出的LDO，可以為數(shù)字隔離器等電路供電，以用于需要隔離的場景。
產(chǎn)品特性
- SW耐壓范圍：-700V~700V;
- SW dv/dt抑制能力：200V/ns
- 2A/4A峰值驅(qū)動電流
- 5V~6.5V可調(diào)輸出電壓
- -2.5V內(nèi)置輸出負(fù)壓
- 內(nèi)置5V固定LDO輸出用于數(shù)字隔離器供電
- 典型值10ns最小輸入脈寬
- 典型值30ns輸入輸出傳輸延時(shí)
- 典型值5ns脈寬畸變
- 典型值6.5ns上升時(shí)間（1nF 負(fù)載）
- 典型值6.5ns下降時(shí)間（1nF 負(fù)載）
- 典型值20ns死區(qū)
- 高邊支持自舉供電
- 欠壓保護(hù)、過溫保護(hù)
- 工作溫度范圍：-40℃~125℃
應(yīng)用場景
- 高頻開關(guān)電源
- 光伏、儲能
功能框圖
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