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納芯微推出的GaN功率芯片，內部集成了GaN HEMT和專用驅動器，降低了驅動和功率回路雜散電感的影響，有利于實現(xiàn)GaN HEMT的安全、可靠工作，同時簡化了外圍電路設計和布板面積，從而最大限度地提升效率和功率密度。
產品選型表
顯示 種器件
| 產品名稱 | ECAD Model | 產品類型 | 母線電壓(V) | 導通電阻(mΩ) | 導通電流(A) | 特性 | 工作溫度(°C) | 產品等級 | 封裝 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NSG65N15K-DQAFR |
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半橋 | 700 | 150 | 20 | UVLO、可調死區(qū)時間、集成自舉二極管 | -40~125 | 工業(yè)級 | QFN32 |
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