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NSD2621是納芯微最新推出的專為GaN設(shè)計(jì)的高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片。該芯片采用了納芯微的成熟電容隔離技術(shù)，高邊驅(qū)動(dòng)可以支持-700V到+700V的共模電壓，150 V/ns的SW電壓變化斜率，同時(shí)具有低傳輸延時(shí)和低通道間延時(shí)的特性。兩通道均能提供2A/-4A的驅(qū)動(dòng)能力。
高低邊的驅(qū)動(dòng)級(jí)都采用了專門的電壓調(diào)節(jié)器，以確保驅(qū)動(dòng)電壓在GaN柵極可接受的穩(wěn)定范圍內(nèi)，使得GaN不論在何種情況下，都能正常工作。同時(shí)具備了UVLO保護(hù)功能，保護(hù)電源系統(tǒng)工作安全。
產(chǎn)品特性
- 高壓側(cè)電壓范圍：+/-700V；
- 高低邊獨(dú)立 UVLO 保護(hù)功能；
- +2/-4A 驅(qū)動(dòng)電流能力;
- 內(nèi)置LDO，使驅(qū)動(dòng)電壓更穩(wěn)定可靠;
- 低于 60ns 傳播延時(shí)，低于 10ns 高低邊延時(shí)匹配;
- +5/-5V 邏輯地偏置;
- 150V/ns 的高壓側(cè) dV/dt 抗干擾能力;
- Operation ambient temperature:-40℃ ~125℃
- 封裝形式: LGA (4*4mm)
- 驅(qū)動(dòng)電壓輸出NSD2621A: 6V/ NSD2621B: 5.5V/ NSD2621C: 5V
應(yīng)用場(chǎng)景
- 半橋、全橋、LLC電源拓?fù)?/p>
- 適配器高密電源
- 太陽能、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域
功能框圖
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