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納芯微推出隔離半橋驅(qū)動芯片,加速新基建中隔離器件國產(chǎn)化

2020/06/01

國內(nèi)領(lǐng)先的信號鏈芯片及其解決方案提供商蘇州納芯微電子股份有限公司(以下簡稱“納芯微”)宣布推出國內(nèi)首款高壓隔離半橋驅(qū)動芯片NSi6602,該芯片集高隔離耐壓、高可靠性、高集成度、低延時、靈活封裝配置等特性于一體,可應(yīng)用在5G基站、數(shù)據(jù)中心、充電樁等新基建重點發(fā)展領(lǐng)域。


作為一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動器,NSi6602具有優(yōu)異的抗干擾能力,其抗共模瞬態(tài)干擾度(CMTI)可達150kV/us,可有效保證系統(tǒng)在各種惡劣環(huán)境下正常運行。NSi6602的典型傳輸延時值為19ns,高邊、低邊柵極驅(qū)動器之間最大傳輸延遲匹配5ns,最大脈寬失真6ns,有助于減小功率管的死區(qū)時間,進而提高系統(tǒng)效率。通過更小的封裝尺寸、更強大的功能設(shè)計,NSi6602打破了傳統(tǒng)非隔離式柵極驅(qū)動器普遍存在的工作電壓上限低、傳播延遲長、靈活性差等局限性,從而帶來更高的功率密度,幫助系統(tǒng)更快速、更穩(wěn)健地運行。


NSi6602性能特點:


隔離式雙通道柵極驅(qū)動器

5kV RMS隔離耐壓

輸入側(cè)供電電壓:2.7V至5.5V

驅(qū)動端供電電壓:最高可達25V

4A驅(qū)動電流和6A吸收電流

最高150KV/us抗共模瞬態(tài)干擾度

19ns典型傳播延遲

5ns最大傳輸延遲匹配

6ns最大脈沖寬度失真

可編程死區(qū)時間

AEC-Q100認證

過流、過溫保護機制

工作溫度范圍:-40℃~125℃


順應(yīng)拓展5G應(yīng)用、建設(shè)充電樁、推廣新能源汽車等新基建浪潮,NSi6602可應(yīng)用于5G 通信電源中PSU、二次電源、電源磚等領(lǐng)域,同時在數(shù)據(jù)中心、充電樁及車載電源等能源密集型場景中也有著廣泛的應(yīng)用前景,為新基建的多種應(yīng)用提供強大的安全保障。


圖:NSi6602功能框圖


NSi6602提供豐富的封裝組合,包括LGA13、SOW14、SOW16、SOP16等,均通過UL1577及VDE安規(guī)認證,可應(yīng)用于各類中大功率開關(guān)電源系統(tǒng),給予客戶更多個性化選擇。其中,SOW16及SOW14兩種封裝形式已通過AEC-Q100認證,將有助于新能源汽車車載電源的國產(chǎn)化進程加速。


樣品申請與產(chǎn)品咨詢


請發(fā)郵件至[email protected] 索取更多關(guān)于NSi6602高壓隔離半橋驅(qū)動芯片的詳細信息。


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