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2022/06/29
NSD1624是納芯微最新推出的非隔離高壓半橋驅動芯片，驅動電流高達+4/-6A，可用于驅動MOSFET/IGBT等各種功率器件。
? 光伏、儲能等新能源領域
? 空調壓縮機、工業電機驅動
? 高效高密度工業、通信、服務器電源
? 半橋、全橋、LLC電源拓撲
如下圖NSD1624功能框圖所示，納芯微創新地將隔離技術方案應用于高壓半橋驅動中，使得高壓輸出側可以承受高達1200V的直流電壓，同時SW pin可以滿足高dv/dt和耐負壓尖峰的需求。可適用于各種高壓半橋、全橋、LLC電源拓撲上。
NSD1624輸入邏輯可兼容TTL/CMOS，方便控制。高壓側和低壓側均具備獨立的供電欠壓保護功能（UVLO），能在10~20V電壓范圍內工作。此外，NSD1624可提供SOP14，SOP8，LGA 4*4mm多種封裝形式。
NSD1624功能框圖
NSD1624簡化應用電路
圖一：半橋驅動IC典型應用電路圖示
圖二：Q1、Q2管子開關過程中，SW產生震蕩和負壓
上圖一所示是半橋驅動IC非常典型的應用電路。在Q1、Q2管子開關過程中，SW 會產生一定程度的震蕩，同時會有負壓產生，如上圖二所示。如果驅動IC SW pin 耐負壓能力比較低，就會導致IC損壞。
SW pin 產生震蕩和負壓的原因是：當上管關閉時，由于負載呈感性，電流不能突變，電流便會從GND 通過下管的體二極管進行續流，如圖一的紅色箭頭方向所示。在真實電路中，該電流路徑上許多地方會存在寄生電感，如圖一的綠色電感。
SW 的電壓 Usw=-Lss * (di/dt)，通過公式可以看出，續流電流通過路徑中的寄生電感，會在SW上產生負壓。如果負載電流越大，開關頻率越高，即di/dt 大，同時電路中寄生電感越大，即Lss 值越大，則SW產生的震蕩和負壓就會越大，就會越容易損壞驅動IC。
此外，開關頻率越大，SW產生的dv/dt就越大。如果選擇的驅動IC dv/dt 抗干擾能力不足，便會導致驅動IC內部邏輯錯誤，可能會使得驅動IC的HO 和 LO同時輸出高電平，使得上下管同時打開，造成短路，甚至燒壞管子。
納芯微創新地將隔離技術方案應用于NSD1624 高壓半橋IC中，很好解決了上述問題，即：SW pin負壓和高dv/dt的痛點。該創新技術，使得NSD1624 SW pin 電壓能夠承受高達±1200V，可以承受非常高的負壓；同時dV/dt抗干擾能力超過100kv/us。因而 NSD1624 非常適合高頻、高壓、高可靠性的應用場景，符合電源行業發展的趨勢。
? 高壓側電壓范圍：1200V (SOP14封裝)；700V (SOP8 / LGA10 封裝)
? SW pin耐壓：±1200V (SOP14封裝)；±700V (SOP8 / LGA10 封裝)
? 高壓側dV/dt抗干擾能力：100kv/us
? 驅動電流能力：+4/-6A
? VDD最大耐壓值：24V
? 兩通道都具備欠壓保護
? 典型傳播延時：22ns
? 最大延時匹配：7ns
? 工作環境溫度：-40℃ ~ 125℃
? 符合 RoHS 標準的封裝類型：SOP8/SOP14/LGA10
// 免費送樣
NSD1624 系列產品均可提供樣品，如需申請樣片或訂購可郵件至[email protected]或撥打0512-62601802，更多信息敬請訪問www.fanshangsj.com
